企业简介
晶豪科技股份有限公司 main business:Medical care and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
welcome new and old customers to visit our company guidance, my company specific address is: 新竹？？新竹科学工业园区力行五路９号５楼.
If you are interested in our products or have any questions, you can give us a message, or contact us directly, we will receive your information, will be the first time in a timely manner contact with you.
晶豪科技股份有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 1384307 |  |
ESMT | 芯片，集成电路块 | 查看详情 |
晶豪科技股份有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | TW200743109 | 防止读写失败之快闪记忆体装置及其读写方法 | 2007.11.16 | 本发明揭示一种防止读写失败之快闪记忆体装置及其读写方法，系利用已储存在冗余电路中的错误位址资讯，直接 |
| 2 | TW200742955 | 电荷帮浦电路 | 2007.11.16 | 一种电荷帮浦电路，包括多个受控的电荷帮浦、未受控的电荷帮浦、多个控制单元以及一输出单元。每个受控的电 |
| 3 | 可防暴音之音频放大装置 | 2011.01.11 | ||
| 4 | TW200830082 | 电压调整电路 | 2008.07.16 | 一种电压调整电路，用来将一输入电压转换至具有较高电压值之一输出电压，其包含有：一交错耦合式拴锁电路， |
| 5 | TW200737205 | 决定快闪记忆体元件感测时间之方法及装置 | 2007.10.01 | 本发明揭示一种决定一快闪记忆体元件(flash memory device)之一感测时间(sensi |
| 6 | TW473730 | 电压调整器 | 2002.01.21 | 一种提供内部电源之电压调整器，利用多级缓冲的方式处理外部输入之电源，可以避免电压调整器所输出之内部电 |
| 7 | TW200926194 | 充电泵及其运作方法 | 2009.06.16 | 一种充电泵，其主要由一环震荡器以及一泵电路所组成。该环震荡器提供复数震荡时脉；该泵电路包含复数互相耦 |
| 8 | TW200818192 | 动态随机存取记忆体之位元线预充电压产生器 | 2008.04.16 | 本发明提供一种DRAM位元线预充电压产生器,其包含:一第一放大器,其具有一第一电流源且比较一第一电压 |
| 9 | TW200814516 | 半波式脉冲宽度调变式D类音源放大器CLASS-D AUDIO AMPLIFIER WITH HALF-SWING PULSE-WIDTH-MODULATION | 2008.03.16 | 一种包含第一、第二比较器以及一输出级的脉冲宽度调变装置，第一与第二比较器分别比较一对差动讯号与一半波 |
| 10 | TWI534815 | 执行过抹除修正非挥发性记忆体之方法 | 2016.05.21 | 明揭露一种执行过抹除修正非挥发性记忆体之方法，系包含下列步骤：进行一第一次抹除与验证操作；若发现有漏 |
| 11 | TW200814082 | 半导体记忆体之电压调整器 | 2008.03.16 | 本发明揭示一种可提供稳定电源至半导体记忆体内部电路之电压调整器，主要包含有一比较单元、一第一驱动电晶 |
| 12 | TWI286318 | 降低抹除时间及防止过抹除之抹除方法 | 2007.09.01 | 一种使用于设置在多个扇区之快闪记忆胞阵列的抹除方法，其中各扇区具有一个抹除旗标，而所欲抹除之扇区的抹 |
| 13 | CN100501866C | 以参考位线的均衡来开启字线解码器的装置 | 2009.06.17 | 披露了一种开启字线解码器的装置，尤其是一种利用参考位线的均衡来开启字线解码器的装置。包括：一均衡要求 |
| 14 | CN101026094A | 形成具有缩小的字线间距的快闪单元阵列的方法 | 2007.08.29 | 一种形成NAND闪存装置的方法包含：在基底上形成控制栅极多晶硅层；在控制栅极多晶硅层上形成掩膜层，掩 |
| 15 | CN1584853A | 同步记忆体的时序控制方法 | 2005.02.23 | 本发明是关于一种同步记忆体的时序控制方法，该同步记忆体具有一区域资料汇流排、一信号放大汇流排与一通用 |
| 16 | CN101026007A | 减少闪存设置时间的方法及经改进的闪存 | 2007.08.29 | 一种在闪存阵列中偏压字线的方法，其中选定字线被选定为在数据存取期间用于读取操作，所述方法包括以下步骤 |
| 17 | CN101162606A | 动态随机存取存储器的位线预充电压产生器 | 2008.04.16 | 本发明提供一种DRAM位线预充电压产生器，其包含：第一放大器，其具有第一电流源且比较第一电压与预充电 |
| 18 | CN101339807A | 非易失性半导体存储器的编程方法及其电路 | 2009.01.07 | 本发明揭示一种非易失性半导体存储器的编程方法，其是于存储器中选择出一群组的存储器单元来进行编程，并于 |
| 19 | CN106033902A | 切换式充电器 | 2016.10.19 | 切换式充电器用以接收一输入电压以及对应地提供一输出电压。该切换式充电器包含有一切换电路、一电感器、一 |
| 20 | CN101355349A | 三角波产生电路及其方法 | 2009.01.28 | 本发明提供一种三角波产生电路及其方法。此三角波产生电路包括积分电路、电平检测电路及信号调整电路。积分 |
| 21 | CN103545793B | 具有电路损坏保护机制的集成电路及其方法 | 2016.12.21 | 一种具有电路损坏保护机制的集成电路，包含一比较器、一第一电阻及一高通滤波电路。该第一电阻的一端耦接于 |
| 22 | TW200516264 | 可自行校准之晶体振荡器和其校准方法及其特殊应用积体电路 | 2005.05.16 | 本发明之可自行校准之晶体振荡器包含一相位比较器、一电气连接于该相位比较器之第一输入端之时脉讯号垫、一 |
| 23 | TW200527653 | 电压产生器以及产生稳定电压的方法 | 2005.08.16 | 一种电压产生器，用于产生稳定之电压。此电压产生器包括一分压电路、一第一差动放大器、一第二差动放大器、 |
| 24 | TW200532697 | 非挥发性记忆体防止过度移除之电路及方法 | 2005.10.01 | 本发明揭示一种非挥发性记忆体防止过度移除之方法，其包含下列步骤：首先提供一定电流于该非挥发性记忆体之 |
| 25 | TW200535855 | 快闪EEPROM的过抹除修正方法及其电路OVERERASE CORRECTION IN FLASH EEPROM MEMORY | 2005.11.01 | 一种快闪EEPROM的过抹除修正方法及其电路，其系在记忆体阵列内之记忆体晶胞于资料抹除后，对记忆体晶 |
| 26 | CN103532378B | 抑制输出电压过冲的电压转换器 | 2016.12.21 | 本发明揭示一种抑制输出电压过冲的电压转换器，其用以接收一输入电压以调节产生一输出电压。在本发明一实施 |
| 27 | CN103546843B | 闭回路电源输出级 | 2016.12.21 | 一种闭回路电源输出级，其包括减法器、回路滤波器、比较器、反馈电路、截波检测器与补偿电路。减法器将数字 |
| 28 | CN106612579A | 发光二极管驱动模块与发光二极管模块 | 2017.05.03 | 本发明实施例提供一种发光二极管驱动模块，其用以驱动多个发光二极管串，且包括除法电路、误差放大电路与驱 |
| 29 | CN103247339B | 用于非易失性半导体存储元件的编程方法 | 2017.04.12 | 本发明揭示一种用于非易失性半导体存储元件的编程方法。其是用于一半导体存储元件的自我更新方法，包含以下 |
| 30 | CN103514942B | 用以控制随机存取存储器元件中的漏电流的电路和方法 | 2017.04.12 | 本发明揭示一种用以控制随机存取存储器元件中的漏电流的电路和方法。在本发明一实施例中，该电路包含一预充 |
| 31 | CN103427804B | 延迟电路及其延迟级 | 2017.03.15 | 本发明提供一种延迟电路包括至少一个延迟级。延迟级包括反向接收器、电容元件、输出反向器、反馈晶体管。反 |
| 32 | CN106411281A | 功率限制放大器 | 2017.02.15 | 一种功率限制放大器，包含一运算放大器、一降增益单元、一检测单元、一第一电阻、一第二电阻以及一反馈单元 |
| 33 | CN106411280A | 功率限制放大器 | 2017.02.15 | 一种功率限制放大器，包含一运算放大器、一降增益单元、一检测单元、一第一电阻以及一第二电阻。该运算放大 |
| 34 | CN106292822A | 温度效应增强方法 | 2017.01.04 | 本发明提供一种温度效应增强方法，用以增强温度对振荡器的振荡周期所造成的效应。温度效应增强方法所包括的 |
| 35 | CN106292815A | 低压降稳压器和包含低压降稳压器的输出缓冲器 | 2017.01.04 | 一种低压降稳压器，包含电气连接至一第一直流电压源的一第一输入端、电气连接至一第二直流电压源的一第二输 |
| 36 | CN106297868A | 驱动子字线的半导体存储器元件 | 2017.01.04 | 一种半导体存储器元件，包含一子字线驱动器和一电压切换电路。该子字线驱动器具有耦接至一所选择的主字线的 |
| 37 | CN106301257A | 音频放大器的调制选择电路及其方法 | 2017.01.04 | 本发明涉及一种音频放大器的调制选择电路及其方法，该调制选择电路包含一信号产生电路、一脉冲产生电路和一 |
| 38 | CN106301344A | 具有保护电路的半导体元件 | 2017.01.04 | 一种具有保护电路的半导体元件，包含一输出级和一电压箝制电路。该输出级包括一输出端、一PMOS晶体管和 |
| 39 | CN106155173A | 能隙参考电路 | 2016.11.23 | 本发明涉及一种能隙参考电路，包含第一电流源至第四电流源、一运算放大器、第一至第三双极性晶体管、一分压 |
| 40 | CN106033930A | 切换式稳压器 | 2016.10.19 | 一种切换式稳压器，用以接收一输入电压以及对应地提供一输出电压。该切换式稳压器包含有一切换电路、一电感 |
| 41 | CN103531242B | 半导体存储器元件及包含此元件的并列调整装置 | 2016.09.21 | 本发明揭示一种具有参考晶胞调整电路的半导体存储器元件，其包含第一和第二电压转电流电路、多个电阻、第一 |
| 42 | CN103683932B | 脉宽调制模式或脉冲省略模式下的电压转换器及切换方法 | 2016.08.03 | 本发明揭示一种可运作于一脉冲宽度调制(PWM)模式或一脉冲省略模式下的电压转换器。该电压转换器包含一 |
| 43 | TW201616805 | 用于交换调变器之调变方法 | 2016.05.01 | 明提供一种用于交换调变器之调变方法。首先，接收资料讯号。接着，于交换调变器之第一输出侧产生第一输出讯 |
| 44 | TWI532319 | 具有时脉讯号同步之三角波产生电路 | 2016.05.01 | 具有时脉讯号同步之三角波产生电路，包含一电容器，第一至四定电流源，一第一切换单元，一第二切换单元，一 |
| 45 | TW201616507 | 避免过度软程式化的非挥发性记忆体抹除方法 | 2016.05.01 | 明提供一种避免过度软程式化的非挥发性记忆体抹除方法，包括：在非挥发性记忆体中，对复数个记忆胞中的至少 |
| 46 | TWI532050 | 记忆体测试系统及方法 | 2016.05.01 | 明实施例提出一种记忆体测试系统，所述记忆体测试系统包含记忆体装置、探针卡与测试器。记忆体装置包含具有 |
| 47 | CN103544987B | 具有自我更新时序电路的半导体存储器元件 | 2016.04.27 | 本发明揭示一种具有自我更新时序电路的半导体存储器元件。该半导体存储器元件的一实施例包含一命令解码器、 |
| 48 | CN103546031B | 具有缓启动电路的电压转换器 | 2016.04.20 | 本发明揭示一种具有缓启动电路的电压转换器，其用以接收一输入电压以调节产生一输出电压。在本发明一实施例 |
| 49 | CN103514956B | 半导体存储器元件及其测试方法 | 2016.04.13 | 本发明揭示一种半导体存储器元件及其测试方法。根据本发明的一实施例，该测试方法包含以下步骤：首先，该半 |
| 50 | TWI528368 | 抹除非挥发性记忆体之方法 | 2016.04.01 | 抹除非挥发性记忆体之方法，包含：选择一记忆体区块以执行一抹除运作；藉由复数个抹除脉波以抹除所选择的记 |
新闻中心
该公司还没有发布任何新闻
行业动态
该公司还没有发表行业动态
企业资质
该公司还没有上传企业资质
Map(The red dot in the figure below is 晶豪科技股份有限公司 at the specific location, the map can drag, double zoom)
Tips: This site is 晶豪科技股份有限公司 at mass public network free website, if you are the person in charge of the unit, please click here application personalized two after landing and update your business domain data, you can delete all of your unit page ads, all operations free of charge.
|
晶豪科技股份有限公司 |
| Contact:赵瑚 |
| Telephone:00886 3 5781970 |
| 地址:新竹？？新竹科学工业园区力行五路９号５楼 |
猜你喜欢
友情链接